SBC847BDW1T3G دیتاشیت

SBC847BDW1T3G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SBC847BDW1T3G
حجم فایل 50.018 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت SBC847BDW1T3G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi SBC847BDW1T3G
  • Transistor Type: 2 NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 380mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 290@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 600mV@100mA,5mA
  • Package: SOT-363
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه